پایان نامه - مقاله - تحقیق

:
موضوع سیاست تقسیم سود همواره به عنوان یکی از بحث انگیز ترین مباحث علم مالیه مطر ح  بوده است   به طوری که علاقه اقتصاد دانان قرن حاضر وبش از  پنج ده اخیر را به خود معطوف کرده و موضوع       الگو های نظری جامع وبررسیهای تجربی بوده است . تقسیم سود از دو

 جنبه مهم قابل بحث است  ، از یک نظر تقسیم سود عاملی اثر گذار بر سرمایه گذاری های پیش روی شرکتهاست ، هر قدر سود  بیشتری  تقسیم گردد ، منابع داخلی شرکت ، به منظور اجرای پروژه های سرمایه گذاری ، کمتر خواهد شد و نیاز به منابع خارج از شرکت بیشتر می شود که این عامل می تواند برقیمت سهام شرکتها در آینده تاثیر داشته باشد . از این ر و مدیران ( با هدف حداکثر کردن ثروت سهامداران ) هموار ه باید بین علایق  مختلف سهامداران   تعادلی بر قرار نمایند ، تا هم  فرصتهای سود آور سرمایه گذاری را از دست نداده باشند  وهم  سود  نقدی مورد نیاز برخی از سهامداران را بپر دازند. بنابر این تصمیمات تقسیم سود که از سوی مدیران شرکتها اتخاذ می شود بسار  حساس و با  اهمیت   است ، از سوی  دیگر  واحدهای انتفاعی  می توانند سود خالص سالانه خود را به مصرف پرداخت سود سهام به سهامداران برساند  ویا وجوه آنرا برای مقاسد دیگر نظیر بازپرداخت بدهی ها و یا تامین مالی سرمایه گذاری های  جدید مورد استفاده قرار دهند . پرداخت سود سهام به صاحبان سهام عادی یکی از راههایی  است که شرکت می تواند  بدان وسیله مستقیماً بر ثروت سهامداران اثر بگذارد ، به این دلیل موضوع پرداخت سود  و میزا ن سود تقسیمی یکی از علایق سهامدارا ن فعلی و سرمایه گذاران آتی می باشد  .  مهمترین  دلیل مطالعه حاضر کمک  به سرمایه گذاران  ، مدیران  وفعا لان بازا ر سرمایه  در سوق دادن سرمایه ها ومنابع مالی در شرکتهای که بازدهی بهتری ازاین منابع حاصل میکنند ، می باشد . این پژوهش از نوع پژوهش های كاربردی بوده و بر مبنای روش و ماهیت در  طبقه بندی  تحقیقات   همبستگی  قرار می گیرد و با استفاده از رگرسیون ساده و چند متغیره  به بررسی میزان رابطۀ همبستگی بین سود تقسیمی و بازدهی سهام  پرداخته است. . یافته های پژوهش حاضر ادعا دارد كه  رابطه بین سود تقسیمی و بازدهی سهام  در شرکتهای پذیرفته شده در بورس ارواق بهادار تهران در بین سالهای  1387-1383  بصورت خطی بوده و همبستگی بیشتری بین  این دو در شرکتهایی که سود تقسیم می کنند  وجود دارد . همچنین همبستگی بین سود تقسیمی  وبازدهی سهام درشرکتهای که سود بیشتری تقسیم می کنند،  بیشتر  می باشد.   نتایج این تحقیق با نتایج تحقیفات آقای لینتر در سال 1936 وآقای والتر در سال 1973 که بیان می کنند رابطه مثبتی بین سود سال آتی وتغیرات سود سال جاری وجود دارد و با فرضیه علامت دهی سود مطابقت و سازگاری دارد، همچنین با نتایج حاصل از نتایج تحقیقات آقایان چون چنا چنگ وپراوین کومار که شواهدی رابرای فرضیه علامت دهی سود تقسیمی ارائه دادند و به این نتیجه رسیدند که همبستگی  مثبتی بین تغیرات سود تقسیمی جاری و سود های آتی وبازده حقوق صاحبان سهام در شرکتهای بورس نیویورک در بین سالهای 1974 تا 1979 وجود دارد ، مطابقت دارد  وبا مستندات ارائه شده در چارچوب نظری تحقیق و ادبیات مالی در تضاد نمی باشد.

1-1-           پیشگفتار

انرژی خورشیدی منحصربه‌فردترین منبع انرژی تجدید پذیر در جهان است و منبع اصلی تمامی انرژی‌های موجود در زمین می‌باشد. این انرژی به صورت مستقیم و غیرمستقیم می­تواند به اشکال دیگر انرژی تبدیل گردد[[i]].
به طور کلی انرژی متصاعد شده از خورشید در حدود  3.8e23 کیلووات در ثانیه می‌باشد. ایران با داشتن حدود ۳۰۰ روز آفتابی در سال جزو بهترین کشورهای دنیا در زمینه پتانسیل انرژی خورشیدی می‌باشد. با توجه به موقعیت جغرافیایی ایران و پراکندگی روستاهای کشور، استفاده از انرژی خورشیدی یکی از مهم­ترین عواملی است که باید مورد توجه قرار گیرد. استفاده از انرژی خورشیدی یکی از بهترین راه های برق رسانی و تولید انرژی در مقایسه با دیگر مدل­های انتقال انرژی به روستاها و نقاط دور افتاده در کشور از نظر هزینه، حمل‌نقل، نگهداری و عوامل مشابه می‌باشد[1].
با توجه به استانداردهای بین‌المللی اگر میانگین انرژی تابشی خورشید در روز بالاتر از ۳.۵ کیلووات ساعت در مترمربع باشد استفاده از مدل­های انرژی خورشیدی نظیر کلکتورهای خورشیدی یا سیستم‌های فتوولتائیک بسیار اقتصادی و مقرون به صرفه است. این در حالی است که در بسیاری قسمت­های ایران، انرژی تابشی خورشید بسیار بالاتر از این میانگین بین‌المللی می‌باشد و در برخی از نقاط حتی بالاتر از ۷ تا ۸ کیلووات ساعت بر مترمربع اندازه­گیری شده است ولی بطور متوسط انرژی تابشی خورشید بر سطح سرزمین ایران حدود ۴.۵ کیلو وات ساعت بر مترمربع است[1].

1-2-           تاریخچه­ی سلول­های خورشیدی

اثر فوتوولتاییک اوّلین بار در سال 1839 توسط بکویه­رل[1]، فیزیکدان فرانسوی، به صورت تجربی نشان داده شد[[ii]] . پس از آن چارلز فریتز[2] در سال 1883 توانست اوّلین سلول خورشیدی حالت جامد را بسازد. او نیمه­هادی سلنیم را با لایه­ی نازکی از طلا پوشانده بود تا بتواند یک پیوند شکل دهد و با این کار توانسته بود به بازده 1% دست یابد. در سال 1946 راسل اُهل[3] موفّق شد یک سلول خورشیدی با پیوند مدرن بسازد.
با این حال اوّلین سلول خورشیدی کاربردی[4] در سال 1954، در آزمایشگاه بل[5]، ساخته شد. چاپین[6]، فولر[7] و پیرسون[8] برای ساخت این سلول از یک پیوند p-n نفوذی سیلیکون[9] استفاده کرده توانستند به بازده 6% دست یابند[2].

سلول­های پیشرفته­ی اوّلیه با استفاده از ویفر[10]های سیلیکن و ژرمانیوم به دست آمدند. پس از آن سلول­هایی ساخته شدند که در آن­ها از لایه­های نازک[11] سیلیکن یا دیگر نیمه­هادی­ها به جای ویفر استفاده می­شد. هم اکنون علاوه بر این دو نوع سلول خورشیدی از سلول­های متعدّد دیگری چون سلول­های پلیمری، ارگانیک، رنگ دانه­ای( حسّاس شده با رنگ[12])، چند پیونده و … بهره گرفته می­شود.
در این فصل انواع مهم سلول­های خورشیدی، که در سه نسل دسته­بندی شده­اند، به شکل مختصر مورد بررسی قرار می­گیرند: نسل اوّل( شامل سلول­های کریستالی سیلیکون[13]) نسل دوم( شامل سلول­های گوناگونی که در آن­ها از لایه­های نازک نیمه­هادی استفاده می­شود) و نسل سوم( شامل سلول­هایی که طرّاحی آن­ها به گونه ایست که می­توانند بازدهی فراتر از حدّ شاکلی- کوییزر دست یابند).

1-3-           انواع سلول­های خورشیدی

1-3-1-       نسل اوّل سلول های خورشیدی (سلول های کریستالی سیلیکون)

در این دسته از سلول­های خورشیدی، از ویفرهای سیلیکون به عنوان نیمه­هادی فعّال استفاده می­شود. سیلیکون با گاف انرژی ev1.12 مادّه­ای بسیار مناسب برای جذب طیف خورشید به حساب می­آید. همچنین از نظر فراوانی در طبیعت دومین عنصر به شمار می­رود. این بدان معناست که دست یابی به سیلیکون خام هزینه­ی چندانی نخواهد داشت و نگرانی­ای هم برای اتمام منابع آن وجود ندارد.
برای دست­یابی به هدایت بالا، افزایش طول عمر سلول و جلوگیری از افت بازده( بر اثر بازترکیب حامل­ها) سیلیکون را به صورت تک کریستال و با کیفیت بالا مورد استفاده قرار می­دهند. گاهی نیز برای کاهش هزینه­ها از سیلیکون چند- کریستال بهره گرفته می­شود.

1-3-1-1-      فرآیند رشد کریستال­های نیمه­هادی ها

شرایط رشد بلور( کریستال)های نیمه­هادی که برای ساخت قطعات الکترونیک استفاده می­شود بسیار دقیق­تر و مشکل­تر از شرایط سایر مواد است. علاوه بر این که نیمه­هادی­ها باید به صورت کریستالی در دسترس باشند، باید خلوص آن­ها نیز در محدوده­ی بسیار ظریفی کنترل شود. مثلا تراکم بیشتر ناخالصی­های مورد استفاده در بلورهای Si امروزی کمتر از 1 قسمت در ده میلیارد است. چنین درجاتی از خلوص مستلزم دقّت بسیار در استفاده و به کارگیری مواد در هر مرحله از فرآیند ساخت است[[iii]].
نیمه­هادی­های تک عنصری Si و Ge از تجزیه­ی شیمیایی ترکیب­هایی مانند GeO2، SiCl4 و SiHCl3 به دست می­آیند. پس از جداسازی و انجام مراحل اوّلیه­ی خالص­سازی، ماده­ی نیمه­هادی را ذوب کرده و به صورت شمش­[14]هایی در می­آورند. Si یا Ge به دست آمده بعد از مرحله­ی بازپخت[15] به صورت چند بلوری است.
در صورت عدم کنترل فرآیند سرمایش، نواحی بلوری دارای جهت­های کاملا تصادفی خواهند بود. برای رشد بلور فقط در یک جهت، لازم است که کنترل دقیقی در مرز بین مادّه­ی مذاب و جامد، در هنگام سرد کردن، انجام پذیرد[3].
یک روش متداول برای رشد تک-کریستال­ها، سرد کردن انتخابی ماده­ی مذاب است به گونه­ای که انجماد در راستای یک جهت بلوری خاص انجام پذیرد. برای مثال در نظر بگیرید یک ظرف از جنس سیلیکا حاوی Ge مذاب باشد؛ می توان طوری آن را از کوره بیرون آورد که انجماد از یم انتها شروع شده و به تدریج تا انتهای دیگر پیش رود. با قرار دادن یک دانه[16]­ی بلوری کوچک در نقطه­ی شروع انجماد می توان کیفیت رشد بلور را بالا برد. اگر سرعت سرد کردن به دقّت کنترل شود و مکان فصل مشترک جامد و مذاب به آهستگی در طول مذاب حرکت داده ش.ود، اتم­های ژرمانیوم همراه با سرد شدن بلور به صورت شبکه­ی الماسی آرایش می­یابند. شکل بلور به دست آمده توسط ظرف ذوب تعیین می­شود. Ge، GaAs و دیگر بلورهای نیمه­هادی معمولا با این روش، که روش بریجمن[17] افقی نامیده می­شود، رشد داده می­شوند. در شکل دیگری از این روش، ناحیه­ی کوچکی از ماده­ی بلوری ذوب شده و سپس ناحیه­ی مذاب طوری به طرف دیگر حرکت داده می­شود که در پشت ناحیه­ی مذاب و در هنگام حرکت آن یک بلور تشکیل شود[3].
یکی از معایب رشد بلور در ظرف مذاب این است که ماده­ی مذاب با دیواره­های ظرف تماس پیدا می­کند و در نتیجه­ در هنگام انجماد تنش­هایی ایجاد می­شود که بلور را از حالت ساختار شبکه­ای کامل خارج می­سازد. این نکته به ویژه در مورد Si که دارای نقطه­ی ذوب بالایی بوده و تمایل به چسبیدن به مواد ظرف ذوب را دارد، مشکلی جدی است. یک روش جایگزین، که این مشکل را برطرف می­کند، شامل کشیدن بلور از مذاب در هنگام رشد آن است. در این روش یک دانه­ی بلوری در داخل ماده­ی مذاب قرار داده شده و به آهستگی بالا کشیده می­شود و به بلور امکان رشد بر روی دانه را می­دهد. معمولا در هنگام رشد، یلور به آهستگی چرخانده می­شود تا علاوه بر هم­زدن ملایم مذاب، از هرگونه تغییرات دما( که منجر به انجماد غیر ممکن می­شود) متوسط گیری کند. این روش، که روش چوکرالسکی نامیده می­شود، به شکل گسترده­ای در رشد Si،  Ge و برخی از نیمه­هادی­های مرکب استفاده می­شود[3].

1-3-1-2-      سلول های خورشیدی کریستالی سیلیکونی

این سلول­ها را می­توان بسته به ساختار بلوری سیلیکون به دو دسته تقسیم نمود : سلول­های خورشیدی سیلیکونی تک-کریستال و سلول­های خورشیدی سیلیکونی چند­کریستال. در دسته­ی دوم از سیلیکون چند کریستال به عنوان نیمه­هادی فعّال استفاده می­شود. در دسته­ی اول به منظور دست­یابی به بازده بالاتر طیّ یک مرحله­ی اضافه، سیلیکون چندکریستال به تک کریستال تبدیل می­شود. این کار باعث افزایش هزینه­ی ساخت خواهد شد. از سوی دیگر، از آن جا که نیمه­هادی باید ابتدا به صورت مربّعی درآمده و سپس مورد استفاده قرار گیرد، دور ریز مواد در این دسته بیش از سلول­های چند کریستال است ( سیلیکون چند کریستال را می­توان در قالب­های مربعی رشد داد).
1-3-2-       نسل دوم سلول های خورشیدی (سلول های لایه نازک)از آن جا که در سلول­های خورشیدی نسل اوّل هزینه­ی ساخت بسیار بالاست، باید راهی برای کاهش هزینه­ها یافت. برای این کار باید دید چه چیزی موجب بالا رفتن هزینه­ی بالای تولید در آن سلول­ها می­گردید. با یادآوری مطالب پیشین مشخّص می­شود که با کاهش مواد مورد استفاده و نیز کاهش کیفیت و خلوص ساختار بلوری می­توان هزینه­ها را، هر چند بازده هم کاهش یابد، کاهش داد.
در سلول­های خورشیدی لایه­نازک در واقع هم مواد مورد استفاده کاهش یافته است و هم فرآیند ساخت بسیار ارزان­تر شده است. علاوه بر این­ها نیمه­هادی­های لایه­نازک انعطاف هم دارند و این امر می­تواند کاربردهای جدیدتری نیز پیش روی آن­ها قرار دهد. در این سلول­ها برای کاهش بیشتر هزینه­ حتّی می­توان از نیمه­هادی­های بی­شکل نیز استفاده نمود.
در این فصل انواع مهم سلول­های خورشیدی لایه­نازک به صورت مختصر شرح داده شده­اند. لازم به ذکر است که معیار قرار گرفتن این سلول­ها در نسل دوم فقط لایه­نازک بودن نیمه­هادی در آن­هاست؛ در حالی که برخی از این سلول­ها می­توانند در سلول­های نسل سوم نیز قرار بگیرند چرا که بازده آن­ها می­تواند از حدّ شاکلی- کوئیزر نیز فراتر باشد.
شکل ‏1‑1-  نمونه­ای از یک سلول خورشیدی لایه نازک

1-3-2-1-      سلول های خورشیدی لایه نازک سیلیکون

این دسته از سلول­های خورشیدی خود شامل چندین نوع سلول می­شود که از آن میان می­توان به سلول­های لایه نازک با سیلیکون تک کریستال، چند کریستال، بی­شکل و نانوکریستال اشاره نمود. چند کریستال نسبت به تک کریستال ارزان­تر است امّا بازده کمتری نیز دارد. بی­شکل از چند کریستال هم ارزان­تر است با این نفاوت که بازده کمتر و گاف انرژی بالاتری دارد. همچنین گاف انرژی نانوکریستال با تک کریستال برابر است. از این مواد می­توان به صورت چند پیوند نیز استفاده نمود، نمونه ای از این کار در شکل ‏1‑2 نمایش داده شده است[[iv]].
شکل ‏1‑2- سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون با چند پیوند
علیرغم همه­ی مزایایی که سیلیکون دارد، دارای یک ضعف بزرگ است: ساختار نواری غیرمستقیم موجب می­شود که جذب نور در سیلیکون پایین باشد. نتیجه­ی این امر این است که ضخامت آن باید خیلی بیش­تر از هنگامی باشد که از یک نیمه­هادی با ساختار نواری مستقیم استفاده می­کنیم[[v]] بنابراین هنگام استفاده از لایه­ی نازک سیلیکون به عنوان نیمه­هادی باید با تکنیک­های حبس نور، جذب نور در آن را افزایش داد تا ضرورتی برای داشتن ضخامت بالا نباشد.

در اواخر سال 1950 توسعه فعالیتهای تحقیقاتی  در زمینه پلاسمای تمام یو نیزه بوسیله سه عامل محدود شده بود:

1- عدم اطلاعات کافی در باره حالتهای پلاسما

2- عدم توسعه روشهای تشخیصی

3- پیچیده بودن ابزارهای تولید پلاسما

مشکل اول تنها با گذشت زمان قابل حل بود. مشکل دوم با توسعه ساخت لیزر های پر توان برای پراکندگی تامسون و مشکل آخر بوسیله یک منبع جدید تولید پلاسما.

تا آن زمان اغلب منبع های تولید پلاسما بر اساس به دام اندازی مغناطیسی پلاسمای داغ طراحی  شده بود. پلاسمای تولید شده در این ابزارها از پایداری لازم برای مطالعات بنیادی برخوردار نبود.

ساخت این ابزارها بسیار پرهزینه و پلاسمای تولیدی بیشتر به صورت پالسی بود تا پایدار و نیز به دلیل وجود الکترون های پر انرژی استفاده از پرو بهای فلزی غیر ممکن بود.

نیاز به یک پلاسمای با دمای پایین و حالت پایدار با یونیزاسیون بسیار بالا و قابلیت دسترسی آسان، ذهن فیزیکدانان  پلاسما را به خود مشغول کرده بود.

در سال 1956 Dreicer نظریه تولید پلاسمای تمام یونیزه از طریق برخورد جریانی از اتم های قلیایی بر سطح صفحه ای داغ از جنس تنگستن را مطرح نمود.

این ایده در آن زمان توسعه چندانی پیدا نکرد. اما در سال 1960 دو گروه مستقل یکی به رهبری Rynn و D’Angelo در دانشگاه پرینستون و دیگری به رهبری Knechtli  و Wada در آزمایشگاه تحقیقاتی Hughes موفق به ساخت Q-Machine شدند.[1]

پیشوند Q از کلمه Quiescent که به معنای آرام وخاموش است توسط گروه پرینستون انتخاب شد،که دلیل آن تولید پلاسمای حرارتی آرام و فاقد ناپایداری های نوسانی بود.

پس از طراحی و ساخت Iowa Q-machine1 تحقیقات برای توسعه و رفع عیوب سیستم توسط گروه سازنده ادامه پیدا کرد و منجر به تولید دو نمونه دیگر از این سیستم شد.که اطلاعات موجود درباره طراحی آنها بسیار محدود است. اما آنچه از نوشته های موجود بر می آید آنست که آنها در آخرین نمونه موسوم به Iowa Q-machine3  که در سال 1998 ارائه کرده اند موارد زیر را انجام داده اند:

1- طراحی جدید سیستم ریختن dust به سیستم.

2- قابلیت تبدیل شدن به سیستمی با دو صفحه داغ.

3- مگنت با هسته خنک شونده که اطمینان خوبی برای کار با سیستم به ما می دهد.

4- سیستم خلاء پنوماتیک.

5- یک پروب با قابلیت حرکت برای اندازه گیری های محوری.

اکنون شرح جامعی از نحوه تولید پلاسما به این روش بیان می شود.

2-2 توصیف کلی Q-Machine

یونها در دستگاه Q-Machine به وسیله تماس یون ساز یا به عبارتی جدا شدن یک الکترون از هر اتم در برخورد با صفحه فلزی بسیار داغ تولید می شوند.

این فرایند در سال 1925 توسط  Langmuir وKingdon  کشف شد. آنها متوجه شدند که ضریب یونیزاسیون در این فرایند تقریبا 100% است. این اتفاق زمانی رخ می دهد که تابع کار صفحه فلزی از پتانسیل یونیزاسیون اتم بیشتر باشد.

از جدول تناوبی عناصر می توان این نکته را دریافت که فلزات قلیایی کمترین پتانسیل یونیزاسیون و بیشترین ضریب یو نیزه شدن را دارند. البته اتم های قلیایی در دمای اتاق یو نیزه نخواهند شد و جذب سطحی آنها توسط فلز باعث کاهش تابع کار فلز خواهد شد.

برای یک سطح فلزی تمیز، حرارتی در حدود  C◦900 مورد نیاز است تا یونیزاسیون شروع شود. اما میزان یو نیزه شدن اتم ها خیلی بالا نخواهد بود. برای تولید پلاسما، باید دما را تا حدود C◦2000 بالا ببریم. در این دما سطح فلزی، الکترون های ناشی از گسیل گرما یو نی آزاد می کند.

صفحه فلزی می تواند از جنس تنگستن یا تانتالیوم  باشد.

ساخت دستگاه Q-Machine تاثیر به سزایی در مطالعه مبدل های گرمایونی داشت. این وسیله می توانست ایده ی خوبی برای تولید مستقیم الکتریسیته از گرما باشد. این کار می تواند به وسیله یک زوج صفحه که در نزدیکی هم قرار دارند صورت گیرد. یکی از آنها باید داغ و دیگری سرد باشد.گسیل گرما یو نی از صفحه داغ به طرف صفحه سرد در صورتی که آنها به یک مدار خارجی متصل باشند، عامل ایجاد جریان می گردد.

اگر چه در Q-Machine اغلب از دو صفحه و بمباران آنها توسط اتم های قلیایی استفاده        می شود، اما تفاوتهای زیادی بین این سیستم و مبدل گرما یونی وجود دارد.

صفحات خورشیدی در ماهواره­ها به طور گسترد­ه­ای در انجام جذب انرژی خورشید مورد استفاده قرار می­گیرند. از این انرژی برای ایجاد انرژی لازم برای در مدار باقی ماندن ماهواره­ها استفاده می­شود. این انرژی به ماهواره سرعت لازمه مورد نیاز برای در مدار باقی ماندن را می­دهد. ماهواره­ها تا زمانی که انرژی لازم برای داشتن سرعت لازمه در حرکت بر روی مدار را داشته باشند می­توانند در مدار مورد نظر خود حرکت کنند. به محض این که این انرژی به پایان برسد، ماهواره از مدار خارج شده و در حرکتی مارپیچی شکل به داخل جو زمین آمده و سقوط می­کنند. طراحی این صفحات خورشیدی کاری دقیق و با تکنولوژی بالا محسوب می­شود. اغلب صفحات خورشیدی موجود به طریقی طراحی و ساخته می­شوند که سختی لازم را دارا باشند تا قسمت اصلی ماهواره بتواند با حداقل ارتعاشات به موقعیت نهایی مطلوب خود

 برسد.  البته این سختی نباید با استفاده از طراحی­های سنگین و حجیم به­دست آید. چرا که، وجود صفحات خورشیدی صلب سنگین، باعث افزایش وزن کلی ماهواره خواهد شد. از طرف دیگر، وجود اجزا انعطاف­پذیر بر روی ماهواره­ها مانند صفحات خورشیدی، بازوهای بلند یک ربات فضایی و یا میله آنتن مخابراتی یک ماهواره، منجر به در نظر گرفتن تمهیداتی برای مقابله با اثرات انعطاف­پذیری می­گردد. به عنوان مثال اگر دوربین تعبیه شده بر روی بدنه ماهواره قصد گرفتن عکس از زمین را داشته باشد، ارتعاشاتی که از صفحات خورشیدی بر روی بدنه ماهواره تاثیر می­گذارند، مانع از گرفتن عکسی با کیفیت بالا از سطح زمین خواهند شد. سیستم­های چندجسمی شامل اجزا صلب و انعطاف­پذیر، از نظر دینامیکی شامل اجزاء پیوسته­ای هستند که از معادلات دیفرانسیل معمولی و جزئی جفت شده و غیرخطی تبعیت می­کنند. حل تحلیلی چنین سیستم­هایی تقریباً امکان­پذیر نمی­باشد. مشکل اصلی این سیستم­ها، مسئله ارتعاش عضوهای انعطاف­پذیر به دلیل سختی کم آنها می­باشد. روش­های متفاوتی برای مدل­سازی سیستم­های دینامیکی انعطاف­پذیر ارائه شده است. مدل­های ریاضی چنین سیستم­هایی عموماً از قضایای انرژی استخراج می­شوند. برای یک جسم صلب ساده، انرژی جنبشی براساس سرعت­های خطی و دورانی و همچنین انرژی پتانسیل براساس موقعیت مراکز جرم در میدان جاذبه بیان می­شود. در دینامیک اجسام چند جسمی، یک دستگاه اینرسی به عنوان دستگاه مرجع کلی برای تشریح حرکت یک سیستم چندجسمی به کار می­رود. همچنین یک دستگاه واسطه که به هر یک از اجزاء انعطاف­پذیر متصل است که جابه­جایی­ها و چرخش نسبی جسم را تعقیب می­کند. حرکت نسبت به این دستگاه واسطه نوعاً فقط به دلیل تغییر شکل جسم می­باشد. این انتخاب محاسبات نیروهای داخلی را ساده می­سازد، چرا که اندازه تنش­ها و کرنش­ها تحت حرکت جسم صلب تغییر نمی­کنند. همانند تانسور تنش کوشی و تانسور کرنش کوچک که می­تواند برای محاسبه نیروها نسبت به دستگاه واسطه مورد استفاده قرار بگیرد. این تانسورها منجر به یک نیروی خطی در این جابجایی نسبی می­شوند. نوع عمده از دستگاه واسطه که مورد استفاده قرار می­گیرند دستگاه شناور خوانده می­شوند. دستگاه شناور، حرکت جسم اصلی از ذره یا مولفه انعطاف­پذیر داخلی را تعقیب می­کند. یکی دیگر از روش­های مدل­سازی دینامیکی اجسام چندجسمی شامل اجزاء صلب و انعطاف­پذیر استفاده از ویژگی­های نرم­افزارهای ANSYS و ADAMS به طور همزمان است. نرم­افزار ANSYS با استفاده از روش المان محدود قادر به انجام آنالیز ارتعاشی و نرم­افزار ADAMS توانایی حل معادلات دینامیکی صلب و انعطاف­پذیر را در یک محیط داراست. با ترکیب این دو نرم­افزار قادر خواهیم بود با دقت بالایی مختصات تعمیم­یافته مورد نظر را به­دست آوریم. در بخش کنترل چنین سیستم­هایی با چالش­های بسیاری مواجه هستیم به این ترتیب که در اثر خیز الاستیک اجزای انعطاف­پذیر، سنسورهای اندازه­گیری دستگاه ناوبری مقادیر خطاداری را نشان می­دهند که حلقه کنترلی در مواجهه با این اثرات دچار عملکرد نامطلوب می­گردد. برای جلوگیری از این مشکل یکی از بهترین استراتژی­ها حذف نوسانات از روی اندازه­گیری­ها با استفاده از فیلترهای باریک و سیستم­های تطبیقی می­باشد. به این ترتیب می­توانیم با استفاده از کنترلرهایی ساده، سیستم­های دینامیکی پیچیده را به راحتی کنترل کنیم. نبود سنسور بر روی اجزاء انعطاف­پذیر دیگر چالش پیش روی است. برای حل این مسئله می­توانیم از اثرات ارتعاشی که اجزاء انعطاف­پذیر بر روی اجزاء صلب می­گذارند استفاده کنیم.

در این مقاله ابتدا به مدل­سازی دینامیکی یک ماهواره که شامل یک بدنه صلب مرکزی و دو صفحه انعطاف­پذیر می­پردازیم. مدل­سازی دینامیکی ابتدا با استفاده از روش لاگرانژ در حالت شبه­مختصات و سپس با استفاده از دو نرم­افزارهای ANSYS و ADAMS انجام گرفته است. در بخش کنترلی نیز از یک سیستم تطبیقی مدل مرجع و فیلتر باریک برای حذف ارتعاشات بر روی سرعت زاویه­ای بدنه صلب ماهواره استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه­سازی این کنترلر آورده شده و مزیت­های آن مورد بررسی قرار گرفته است.

بهزیستی[1] انسان یکی از دغدغه های وی در طول تاریخ حیات بشر بوده است. از گذشته‌های دور و در آغاز، بهزیستی متعلق به حوزه فکری فلسفه و فلاسفه و متالهین بوده ولی سپس به برکت پدیدار شدن روش‌های پیشرفته مورد توجه روان‌شناسان و دانشمندان حوزه بهداشت قرار گرفت. علمای علوم انسانی در حوزه‌های مختلف از جمله جامعه‌شناسی، مردم شناسی و اقتصاد نیز به آن توجه نشان داده‌اند. بهزیستی اشاره به حسی از سلامتی دارد که آگاهی کامل از تمامیت و یکپارچگی در تمام جنبه‌های فرد را در بر می‌گیرد. با مطالعه آثار پژوهشگران مختلف در حوزه بهزیستی می‌توان دریافت که این مفهوم شامل ابعاد ذهنی، احساسی، روانی و اجتماعی می‌شود (جوشن لو و همکاران، 1385 ).

یكی از مفاهیم اصلی مدل سلامت، بهزیستی است. اصولاً از دیرباز دو رویكرد اصلی در تعریف بهزیستی وجود داشته است: رویكرد مبتنی بر لذت‌گرایی معتقد است كه بهزیستی به معنی به حداكثر رساندن لذت و به حداقل رساندن درد است. این رویكرد در طول تاریخ حامیان

 خاص خود را داشته است كه از آن جمله می‌توان اپیكور[2]، هابز[3] و استوارت میل[4] را نام برد. رویكرد دوم مبتنی بر فضیلت‌گرایی ارسطو[5] است. براساس این رویكرد، ارضای امیال، به رغم ایجاد لذت در ما، همیشه منتهی به بهزیستی نمی‌گردد، بلكه بهزیستی در برگیرنده تلاش برای كمال و تحقق توانایی های بالقوه واقعی فرد است كه ممكن است همواره توام با احساس لذت نباشد (راین و دسی[6]، 2001).

به نظر می‌رسد که مدل سلامت، سه نوع بهزیستی یعنی بهزیستی هیجانی، بهزیستی روانی و بهزیستی اجتماعی را با هم تركیب كرده و مفهوم جامع و كاملی از بهزیستی را كه هم جنبه عاطفی و هم جنبه كاركردی سلامت روانی را در بر می‌گیرد، به ‌وجود می‌آورد. پژوهشگران حوزه بهداشت روانی نیز معتقدند که جلوه‌های گوناگون بهزیستی ذهنی نشانه سلامت روانی است. بهزیستی ذهنی به معنای ذهنیتی است که فرد درباره کیفیت زندگی‌اش دارد و تا حد زیادی همانند معیارهای ذهنی کیفیت می‌باشد (کیز،2002).

بهزیستی هیجانی نیز دارای دو بُعد است: اول داشتن احساس خوب و نداشتن احساس بد به زندگی است. این نوع بهزیستی مفهوم خوشبختی را می‌رساند و ماهیتی احساسی دارد، بُعد دوم داشتن رضایت کلی از زندگی است که ماهیتی شناختی دارد. فرد زمانی از احساس بهزیستی خوبی برخوردار است که بگوید از زندگی‌اش راضی است و بسیاری از اوقات از زندگی‌اش احساس خوبی داشته باشد (همان، 47).

بهزیستی اجتماعی بر روی تكالیف اجتماعی كه بشر در دل ساختارهای اجتماعی و اجتماعات خود با آن مواجه است، تمركز دارد. بهزیستی اجتماعی نیز دارای پنج مؤلفه است: یکپارچگی اجتماعی: (احساس تعلق نسبت به جامعه؛ احساس داشتن مشتركاتی با جامعه خود)، پذیرش اجتماعی: (درك فرد از خصوصیات و صفات افراد جامعه به‌عنوان یك كلیت و پذیرش این كلیت؛ دید مثبت نسبت به افراد جامعه)، مشارکت اجتماعی: (ارزشمند دانستن اجتماع خود؛ خود را عضو مهمی از جامعه دانستن؛ داشتن احساس توانایی ارائه چیزهای ارزشمند به جامعه)، تعالی اجتماعی(داشتن این احساس كه جامعه دائماً در حال تحول و پیشرفت است و پتانسیل‌های جامعه توسط شهروندان و نهادهای اجتماعی به فعل تبدیل می‌شود) و همبستگی اجتماعی (توانایی فهم كیفیت، ساختار و طرز كار اجتماع؛ علاقه‌مندی به شناختن دنیا و اجتماع خود) (كیز، 1998).

سازمان بهداشت جهانی[12] (1948) ویژگی اصلی بهزیستی اجتماعی را سلامت فردی تعریف کرده است؛ به عبارت دیگر در بیشتر مطالعات انجام شده اخیر، بهزیستی اجتماعی در رفتارهایی که مشارکت و عضویت سازمانی و جوامع را منعکس می‌کنند عملیاتی می‌شوند (شاپیرو و کیز، 2008). طبق نظر لارسون[13] (1996) عامل مؤثری که بهزیستی اجتماعی را اندازه گیری می‌کند جزئی از سلامت فردی است که انعکاس پاسخ به محرک‌های داخلی احساسات، افکار و رفتارهایی است که با رضایت یا عدم رضایت، با محیط اجتماعی در ارتباط است.

عموماً بیان سطح فردی بهزیستی اجتماعی می‌تواند مفهومی نظیر این دو حقیقت باشد: سازگاری اجتماعی[14] و حمایت اجتماعی[15]. سازگاری اجتماعی به موضوع رضایت از روابط یا کارایی نقش‌های اجتماعی اشاره دارد و حمایت اجتماعی نیز اشاره دارد به کمیت و کیفیت اعتماد شخصی که افراد می‌توانند به آن متکی باشند، همچنین درجه نیاز یک شخص یا مسائلی که دیگران با جامعه دارند. ارزیابی افراد از روابط اجتماعی‌شان، چگونگی واکنش دیگران به آنها و چگونگی تعامل آنها با موسسات و انجمن های اجتماعی تعریف شود (همان، 331).

1-2- بیان مسئله

اگر چه بهزیستی پدیده ای سیال و بسیار انتزاعی است اما قابل فهم و سنجش است. تاکنون در زمینه بهزیستی تحقیقات بسیاری انجام شده که از روش‌های تحقیق کمی چون تحقیق آزمایشگاهی، بررسی آماری و مطالعه طولی و تحقیق کیفی استفاده کرده اند. مهم‌ترین یافته‌های پژوهشی درباره بهزیستی را می‌توان چنین خلاصه کرد: بهزیستی احساسی است مطبوع درباره زندگی و تجربه‌ای است لذت بخش که فرد در زندگی دارد و اغلب پس از آنکه از دست رفت شخص به وجود آن پی می‌برد ( دینر،2004).صاحب نظران روابط و بهزیستی ذهنی معتقدند که روابطی مانند ازدواج، خویشاوندی، روابط دوستانه، کارهای گروهی با آشنایان و انجام وظایف مذهبی باعث افزایش شادمانی و بالا رفتن بهزیستی افراد می‌شود (کار، 2004(. نتایج مطالعات دینر نیز نشان داده‌اند که افراد متاهل از بقیه افراد شادترند و نیز افراد مجرد نسبت به افراد مطلقه شادترند. زیرا داشتن روابط صمیمی ‌با تعداد اندکی از افراد و داشتن روابط صمیمانه با اعضای خانواده منجر به روابط حمایتی قوی از طرف اعضای خانواده می‌شود و این نیز به نوبه خود در بالا رفتن بهزیستی افراد اثر گذار است (دینر و همکاران، 1999). همچنین شاخص­هایی مانند سن، منطقه زندگی، طبقه شغلی، میزان درآمد و نوع کالاهای مصرفی افراد بر روی میزان بهزیستی آنها اثر می‌گذارد. افرادی که مشارکت بیشتری در سازمان‌ها و فعالیت‌های اجتماعی دارند، شادترند، کمتر طلاق می‌گیرند، نقش ها و وظایف خود را بهتر به انجام می‌رسانند و عموماً از درآمد خوبی نیز برخوردار می‌باشند. به طور کلی این افراد اجتماعی‌ترند و خلاقیت و آمادگی بیشتری برای تولید دارند (دینر، 2000).

در تحقیقات دیگری که انجام شده، سایر عوامل بسیار مؤثر بر بهزیستی به ترتیب اهمیت عبارتند از: روابط اجتماعی، اتلاف وقت، احساس موفقیت در کار یا تحصیل، داشتن هدف) مختاری و نظری، 1389).

در جامعه ایران، زنان از اواخر قرن گذشته و در طول انقلاب مشروطه ورود چشمگیری به زندگی اجتماعی داشتند که به رغم نقش پُراهمیت آنها در بسیاری از مقاطع تاریخی به دلیل مقاومت نسبی جامعه پدرسالار، نمی‌توانست تداوم داشته باشد و به نهادی شدن این مشارکت منجر گردد. با تحول اشکال زندگی به خصوص ورود تکنولوژی جدید و مناسبات تازه اقتصادی، این مقاومت سنتی به تدریج درهم شکسته شد ( شربتیان، 1387: 88- 87).

فعالیت‌های زنان در توسعه اقتصادی، تصمیم گیریهای اقتصادی و مدیریتی جامعه در عصر حاضر نشان دهنده‌ی توانمندی‌های آنها می‌باشد. امروزه توانمندی‌های اشتغال زنان در عرصه توسعه اجتماعی و اقتصادی نقش بسزایی دارد و ساختار جوامع، حتی ایران را هم تغییر داده است. این ساختار در دهه‌های اخیر موجب تغییر نظام ارزشی و فرهنگی جامعه شده است و پایگاه اجتماعی زنان را تغییر داده و هویتی جدید به آنها داده است. نقش مادری، تربیت فرزندان، رسیدن به امور خانه و خانواده تعدیل یافته و ساختار سنتی و فرهنگی خانواده ایرانی بسیار تغییر کرده است. بنابراین عرصه حوزه عمومی جامعه وارد ساختار جدیدی شده است که در آن زنان بیشتر مورد توجه قرار می‌گیرند (همان: 95 ).